型号:FDP2670 | 类别:FET - 单 | 制造商:Fairchild Semiconductor |
封装:TO-220-3 | 描述:MOSFET N-CH 200V 19A TO-220AB |
详细参数
类别 | FET - 单 |
---|---|
描述 | MOSFET N-CH 200V 19A TO-220AB |
系列 | PowerTrench® |
制造商 | Fairchild Semiconductor |
FET型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET特点 | 标准 |
漏极至源极电压(Vdss) | 200V |
电流_连续漏极(Id)0a025000C | 19A |
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 130 毫欧 @ 10A,10V |
Id时的Vgs(th)111最大222 | 4.5V @ 250µA |
闸电荷(Qg)0a0Vgs | 38nC @ 10V |
输入电容(Ciss)0a0Vds | 1320pF @ 100V |
功率_最大 | 93W |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 |
供应商设备封装 | TO-220AB |
包装 | 管件 |
供应商
深圳市银芯龙科技有限公司 | 欧阳13510131896 |
深圳市晶美隆科技有限公司 | 李林0755- 82519391 0755-83209630 |
深圳市华斯顿电子科技有限公司 | 朱咸华0755-83777708/83777607/82799993 |
深圳勤思达科技有限公司 | 吴086-0755-83268779 |
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